NTMFS4833NS
TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
100
50% (DUTY CYCLE)
10
1.0
0.1
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
R q JA = 54 ° C/W
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. FET Thermal Response
http://onsemi.com
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NTMFS4833NT1G 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4833NT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 191A DFN5
NTMFS4833NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4834N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N−Channel, SO−8FL
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NTMFS4834NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 130A 3MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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